時間：2017-10-12 點擊： 次 來源：網絡 作者：佚名 - 小 + 大
| 傳統的硅片清洗技術是基于美國無線電公司研發的RCA (Radio Company of America的縮寫)清洗技術，這種清洗技術必須消耗大量的強酸、強堿等洗劑，不但成本太高、污染更是大的驚人，目前只在電子級的硅片清洗中還在使用。在RCA清洗技術的原理上，可依據太陽能多晶硅片表面污染物的種類特性，開發一種低成本高效率的多晶硅片除油除塵清洗技術是必須的。采用超聲波清洗工藝，雷士超聲波科技先計算硅片的清洗數量，先確定40KHZ超聲波頻率，然后根據數量排布超聲波的功率為16KW，清洗槽的加熱溫度65℃，加熱管使用M型加熱管還是鋁基貼膜加熱，這個可以廠方需要來設定。然后計算清洗時間，分配清洗劑濃度配比一般為1：20，對污染硅片清洗后表面接觸角的影響,確定了硅片清洗劑的最佳實驗室清洗工藝為超聲功率80W,溫度60℃,清洗時間5min,清洗劑濃度10%。超聲波清洗技術清洗污染的硅片后，硅片的表面形貌不變、接觸角小和表面粗糙度低，有機物和金屬離子殘留少，具有較高的潔凈度，達到非常好的清洗效果。 |
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